- 紀念晶體管誕生71周年——改變世界30款芯片大閱兵！
- 基本半導(dǎo)體重磅推出碳化硅MOSFET
- 淺析我國對“互聯(lián)網(wǎng)+”產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和助力產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)調(diào)整-KIA MOS管
- KNX3308B 80A/80V PDF產(chǎn)品資料及現(xiàn)貨供應(yīng)商-KIA MOS管
- 在互聯(lián)網(wǎng)+的背景下分析互聯(lián)網(wǎng)+體育的發(fā)展方向標-KIA MOS管
- 650 V TRENCHSTOP? IGBT6 for small motor drives up top 1 kW
| Parametrics | IRFHM831 |
|---|---|
| ID (@ TA=70°C) max | 11.0 A |
| ID (@ TC=25°C) max | 47.0 A |
| ID (@ TA=25°C) max | 14.0 A |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Mounting | SMD |
| Ptot max | 27.0 W |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 2.5 W |
| Package | DirectFET L8 |
| Polarity | N |
| QG | 7.3 nC |
| Qgd | 2.5 nC |
| RDS (on) max | 7.8 m? |
| RDS (on) (@10V) max | 7.8 m? |
| RDS (on) (@4.5V) max | 12.6 m? |
| RthJC max | 4.7 K/W |
| Tj max | 150.0 °C |
| VDS max | 30.0 V |
| VGS max | 20.0 V |
