1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)（以N溝道增強(qiáng)型為例）

　　在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。

　　其他MOS管符號(hào)

　　2、工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）

　　（1）VGS=0時(shí)，不管VDS極性如何，其中總有一個(gè)PN結(jié)反偏，所以不存在導(dǎo)電溝道。

　　VGS=0，ID=0

　　VGS必須大于0

　　管子才能工作。

　　（2）VGS》0時(shí)，在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當(dāng)VGS達(dá)到一定值時(shí)P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道。

　　VGS》0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道

　　VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑

　　（3）VGS≥VT時(shí)而VDS較小時(shí)：

　　VDS↑→ID↑

　　VT：開啟電壓，在VDS作

　　用下開始導(dǎo)電時(shí)的VGS°

　　VT=VGS—VDS

　　（4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區(qū)。

　　VDS↑→ID不變