德國慕尼黑——2018年7月13日最高的質量標準和行業領先的半導體組件通過創新和制造:2008年,英飛凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)開始批量生產的第一bulk-CMOS無線電頻率(RF)開關。 然后在5 g時代的黎明,英飛凌的精密組合和產品收到了前所未有的歡迎從世界各地的無線市場的創新者。 到目前為止,該公司達成了一項年度增長率遠高于十億零一年累積的五十億年無線電頻率bulk-CMOS出口轉向價值客戶。

“知識和遺產在半導體制造,英飛凌成為所有原始設備的首選合作伙伴和設計制造商和芯片組分銷商,“菲利普·馮·Schierstaedt說,副總裁和總經理在英飛凌射頻系統。 “壓倒性的市場接受突顯出我們的射頻前端系統的理解,我們的技術力量,一流的質量和供應保證英飛凌交織的生產戰略。”

Bulk-CMOS提供多個產品集成優勢。 因為引入“固態”在1960年代,為射頻開關設計技術分為兩類:機電開關(MEMS)和固態開關。 開關速度低,弱的可重復性和可靠性MEMS自動排除5 g應用程序從一個理想的候選人。

同時,科學努力促進固態技術方案。 與砷化鎵和氮化鎵相比,基于bulk-CMOS transistor-to-transistor邏輯表現最好的集成能力。 這最終使對空間設計在印刷電路板上。 不像其他的替代品,bulk-CMOS既不需要額外的氧化層,和不同的材料作為晶片處理的一部分,這意味著直接的經濟效益。

5 g電信的出現將雄心勃勃的挑戰技術參數數組的oem和證明omd除了加速行業的整體。 英飛凌是開發更多的產品,促進RF-designers的野心。

可用性

行業領先的電氣性能證明可用的樣本下一代bulk-CMOS射頻開關,新天線交換設備BGSX22G5A10和BGSX33MA16。 批量生產將會在2018年夏末,保證持續供應的射頻開關