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功率MOSFET平均售價(jià)持續(xù)上漲！

自2018年開(kāi)始，功率MOSFET的平均售價(jià)持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過(guò)400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)幅度最顯著，已位居價(jià)格中的首位。至于其他中低電壓的功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)
發(fā)布時(shí)間：2019-07-03 點(diǎn)擊次數(shù)：

5G、快充等市場(chǎng)爆發(fā)，氮化鎵商用進(jìn)入快車道(圖文)

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是一種氮（V）和鎵（III）的III-V族化合物，直接帶隙（Direct Bandgap）（直接躍遷型）的半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬（室溫下，Eg=3.39eV）、原子鍵強(qiáng)、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性能穩(wěn)定（幾乎不被任何酸腐蝕）、抗輻照能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦、硬度很高等特點(diǎn)。
發(fā)布時(shí)間：2019-02-27 點(diǎn)擊次數(shù)：

紀(jì)念晶體管誕生71周年——改變世界30款芯片大閱兵！

71年前的今年，被譽(yù)為“21世紀(jì)最偉大發(fā)明”的晶體管誕生，這項(xiàng)發(fā)明涉及科學(xué)和技術(shù)、團(tuán)體和社會(huì)之間的微妙關(guān)系。一起來(lái)回顧改變了計(jì)算乃至數(shù)字世界的偉大芯片，并講
發(fā)布時(shí)間：2018-12-25 點(diǎn)擊次數(shù)：

基本半導(dǎo)體重磅推出碳化硅MOSFET

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發(fā)布時(shí)間：2018-11-29 點(diǎn)擊次數(shù)：

第92屆中國(guó)電子展(CEF) ? 上海站盛大開(kāi)幕

1 2018年10月31日，中國(guó)電子第一大展——“第92屆中國(guó)電子展”在上海新國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化
發(fā)布時(shí)間：2018-11-01 點(diǎn)擊次數(shù)：

淺析我國(guó)對(duì)“互聯(lián)網(wǎng)+”產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和助力產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)調(diào)整-KIA MOS管

淺析我國(guó)對(duì)“互聯(lián)網(wǎng)+”產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和助力產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)調(diào)整-KIA MOS管
發(fā)布時(shí)間：2018-08-20 點(diǎn)擊次數(shù)：

KNX3308B 80A/80V PDF產(chǎn)品資料及現(xiàn)貨供應(yīng)商-KIA MOS管

KNX3308B 80A/80V PDF產(chǎn)品資料及現(xiàn)貨供應(yīng)商-KIA MOS管
發(fā)布時(shí)間：2018-08-20 點(diǎn)擊次數(shù)：

在互聯(lián)網(wǎng)+的背景下分析互聯(lián)網(wǎng)+體育的發(fā)展方向標(biāo)-KIA MOS管

在互聯(lián)網(wǎng)+的背景下分析互聯(lián)網(wǎng)+體育的發(fā)展方向標(biāo)-KIA MOS管
發(fā)布時(shí)間：2018-08-20 點(diǎn)擊次數(shù)：

半導(dǎo)體設(shè)備的關(guān)鍵 “ 三巨頭”

半導(dǎo)體設(shè)備的關(guān)鍵 “ 三巨頭”
發(fā)布時(shí)間：2018-08-20 點(diǎn)擊次數(shù)：

可控矽在白色家電的廣泛應(yīng)用

可控矽在白色家電的廣泛應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間：2018-08-20 點(diǎn)擊次數(shù)：

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